安森美为AI数据中心构建全链路电源解决方案

爱美生活 2025-07-22 chq123 9075

炎炎夏日，你以为空调是耗电大户？

其实真正的“能耗巨兽”是它——AI数据中心

看一个数据，以GPT-4为例，单次训练耗能相当于3000户家庭年用电量

安森美（onsemi）早已备下全环节 “降能耗 + 稳运行” 方案，助力AI数据中心在效率、功率密度和系统成本之间实现最佳平衡

这就来一探究竟

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安森美为AI数据中心提供从电网到GPU的一整套电源解决方案▲

随着AI算力需求呈指数级增长，服务器电源功率正从当前的3-5kW向20kW以上快速演进，与之匹配的电源供应单元输出电压也从传统12V升级至48V 。面对这一变革，安森美构建了覆盖电网接入到GPU的全链路电源解决方案。

在UPS（不间断电源）、PDU（电源分配单元）、PSU（电源供应单元）、BBU（电池备份单元）等关键子系统中，安森美通过技术协同效应实现能效跃升。领先的方案融合了先进的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关技术，同时集成栅极驱动器、多相控制器及48V控制器、智能功率级（SPS）模块、智能熔丝以及负载点（PoL）降压转换器等多种元器件。这种组合不仅显著提升系统能效与功率密度，更能大幅缩减设备体积，为高密度数据中心节省宝贵空间。

明星产品

EliteSiC 650V MOSFET：能效提升的核心引擎

EliteSiC 650V MOSFET是天生的效率高手，提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代SiC MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。

PowerTrenchT10 MOSFET：大电流的 “紧凑管家”

PowerTrench T10 MOSFET系列专为处理对DC-DC 功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度，还自带卓越的热性能，堪称 “小身材大能量” 的典范。

通过使用PowerTrench T10 MOSFET和EliteSiC 650V解决方案，数据中心的电力损耗能直接减少约1%。别小看这1%，如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量。

高压总线架构“智能卫士”

安森美的SiC Combo JFET为400/800V DC高压总线架构应用设计，热插拔/eFuse这些关键场景全靠它护驾。这些器件提供高开关频率，并实现行业内最低的每单位面积RDS(on)。

SPM31 智能功率模块：变频驱动的 “性能王者”

安森美的第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列，在三相变频驱动应用如AI数据中心等应用中非常能打。与使用第7代场截止（FS7）IGBT技术相比，EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他解决方案更低的整体系统成本。

AI数据中心应用中安森美拥有丰富产品线▲

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